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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
比较
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
总分
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
46
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
23
读取速度,GB/s
11.6
18.0
写入速度,GB/s
8.0
13.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1854
3070
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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