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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
比较
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
总分
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
总分
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
46
左右 -84% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
25
读取速度,GB/s
11.6
17.9
写入速度,GB/s
8.0
16.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1854
3651
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
INTENSO 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
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