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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
比较
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
总分
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
总分
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
11.6
17.9
写入速度,GB/s
8.0
13.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1854
3226
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
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