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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
比较
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
总分
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
42
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
21
读取速度,GB/s
13.7
19.1
写入速度,GB/s
8.3
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
3264
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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