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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
比较
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
总分
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
42
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
40
读取速度,GB/s
13.7
14.8
写入速度,GB/s
8.3
11.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
2709
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
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