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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
比较
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
总分
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
总分
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
14.8
15.4
写入速度,GB/s
9.0
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2650
2739
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
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