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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
87
左右 -142% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
36
读取速度,GB/s
3,155.6
14.8
写入速度,GB/s
870.4
10.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2515
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
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