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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
比较
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
总分
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
12.6
14.4
写入速度,GB/s
8.2
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1822
2956
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
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