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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
12.6
16.8
写入速度,GB/s
8.2
11.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1822
3147
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
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