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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
10.1
17.5
写入速度,GB/s
7.1
12.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
3086
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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