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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
41
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
23
读取速度,GB/s
10.1
17.8
写入速度,GB/s
7.1
12.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
3015
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5471-035.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
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