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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
10.1
14.0
写入速度,GB/s
7.1
7.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
2663
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
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