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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Comparez
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Note globale
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Note globale
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
41
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1484
2663
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
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