RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Confronto
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
41
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
28
Velocità di lettura, GB/s
10.1
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1484
2663
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link