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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
44
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
44
读取速度,GB/s
10.1
12.3
写入速度,GB/s
7.1
7.8
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
1977
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM的比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
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