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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
总分
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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需要考虑的原因
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
11.7
13.7
写入速度,GB/s
8.0
10.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2535
2594
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
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