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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-CK0 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Samsung M393B1G70QH0-CK0 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-CK0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
45
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.7
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-CK0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
45
读取速度,GB/s
11.7
10.5
写入速度,GB/s
8.0
8.7
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2535
2340
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM的比较
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393B1G70QH0-CK0 8GB RAM的比较
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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