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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs AMD R538G1601S2LS 8GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
AMD R538G1601S2LS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R538G1601S2LS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
12.3
11.3
写入速度,GB/s
7.8
8.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
1793
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM的比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
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