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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
AMD R744G2400U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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需要考虑的原因
AMD R744G2400U1S 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
44
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
22
读取速度,GB/s
12.3
16.7
写入速度,GB/s
7.8
11.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
2862
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
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