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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
12.3
16.4
写入速度,GB/s
7.8
13.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
3226
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
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