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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
76
左右 42% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
76
读取速度,GB/s
12.3
13.5
写入速度,GB/s
7.8
7.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
1587
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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