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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
44
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
31
读取速度,GB/s
12.3
18.0
写入速度,GB/s
7.8
14.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
3711
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
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