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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
44
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
23
读取速度,GB/s
14,740.4
19.3
写入速度,GB/s
8,883.4
15.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3964
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
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