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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
44
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
26
读取速度,GB/s
12.3
13.8
写入速度,GB/s
7.8
9.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
2456
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
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