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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Kingston 9965662-013.A01G 16GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
44
左右 -10% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
40
读取速度,GB/s
12.3
9.2
写入速度,GB/s
7.8
6.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
2125
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
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