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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
77
左右 43% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
77
读取速度,GB/s
12.3
15.5
写入速度,GB/s
7.8
8.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
1809
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM的比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston K000MD44U 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
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