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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
比较
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
总分
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
12.8
17.7
写入速度,GB/s
9.0
13.8
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3401
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB RAM的比较
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Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
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