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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
65
左右 -124% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
29
读取速度,GB/s
4,018.7
18.0
写入速度,GB/s
1,711.1
13.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
3314
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
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