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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
65
左右 -171% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
24
读取速度,GB/s
4,018.7
15.8
写入速度,GB/s
1,711.1
12.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2761
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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