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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
65
左右 -132% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.4
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
28
读取速度,GB/s
4,018.7
13.7
写入速度,GB/s
1,711.1
10.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2558
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
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