RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
65
左右 -183% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
23
读取速度,GB/s
4,018.7
17.1
写入速度,GB/s
1,711.1
13.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2922
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM的比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link