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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
66
左右 -69% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
2,978.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
39
读取速度,GB/s
2,929.1
13.4
写入速度,GB/s
2,978.2
7.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2134
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
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