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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
66
左右 -136% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
28
读取速度,GB/s
2,929.1
17.9
写入速度,GB/s
2,978.2
15.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3733
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
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