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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

总分
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

总分
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 16.1
    测试中的平均数值
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 66
    左右 -200% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 2,978.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    66 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    2,929.1 left arrow 16.1
  • 写入速度，GB/s
    2,978.2 left arrow 8.2
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    511 left arrow 2340

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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内存RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Kingston KC5N22-MIE 16GB
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内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
内存RAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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内存RAM
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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