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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
66
左右 -136% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
2,978.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
28
读取速度,GB/s
2,929.1
15.8
写入速度,GB/s
2,978.2
9.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2510
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
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