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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB

总分
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

总分
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G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 16.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,978.2 left arrow 13.4
    测试中的平均数值
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 66
    左右 -120% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    66 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    2,929.1 left arrow 16.8
  • 写入速度，GB/s
    2,978.2 left arrow 13.4
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    511 left arrow 3386

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
内存RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
内存RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
内存RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
内存RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
内存RAM
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
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内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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内存RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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内存RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingston XCCT36-MIE 16GB
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