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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
66
左右 -136% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
28
读取速度,GB/s
2,929.1
12.9
写入速度,GB/s
2,978.2
10.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2619
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
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