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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
66
左右 -187% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
23
读取速度,GB/s
2,929.1
17.5
写入速度,GB/s
2,978.2
13.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3171
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
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