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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
66
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
33
读取速度,GB/s
2,929.1
14.5
写入速度,GB/s
2,978.2
11.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2590
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
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