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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
92
左右 41% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
92
读取速度,GB/s
9.2
15.1
写入速度,GB/s
8.1
8.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
1640
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
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