RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
54
92
Rund um 41% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
92
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
1640
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link