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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
66
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
22
读取速度,GB/s
2,929.1
17.5
写入速度,GB/s
2,978.2
12.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3013
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
INTENSO 5641162 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
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