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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
66
左右 -214% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
21
读取速度,GB/s
2,929.1
17.9
写入速度,GB/s
2,978.2
13.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3167
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
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Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
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Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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