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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
66
左右 -74% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
38
读取速度,GB/s
2,929.1
17.9
写入速度,GB/s
2,978.2
10.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3030
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
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