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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
66
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.1
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
2,978.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
36
读取速度,GB/s
2,929.1
9.1
写入速度,GB/s
2,978.2
7.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
1927
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
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