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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
14.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
59
左右 -84% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
32
读取速度,GB/s
4,723.5
16.4
写入速度,GB/s
2,076.1
14.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3462
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
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