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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
59
左右 -127% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
26
读取速度,GB/s
4,723.5
14.1
写入速度,GB/s
2,076.1
11.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2646
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
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Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
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