RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
59
Rund um -127% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
11.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
2646
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link