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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
59
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
29
读取速度,GB/s
4,723.5
19.5
写入速度,GB/s
2,076.1
15.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3757
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
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