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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
59
左右 -51% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
39
读取速度,GB/s
4,723.5
14.6
写入速度,GB/s
2,076.1
10.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2513
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
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